- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.2A... |
1 | 430,255 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 66,882 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 36A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 40V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
