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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
600 V
(1)
650 V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
280 毫欧 @ 4.4A,10V
(1)
280 毫欧 @ 6.5A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
27 nC @ 10 V
(1)
30 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1040 pF @ 400 V
(1)
926 pF @ 400 V
(1)
功率耗散(最大值):
34W(Tc)
(1)
35.7W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
技术 : MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 13.8A(Tc)
供应商器件封装 : ITO-220AB-F
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJMF280N60E1_T0_00001
PANJIT
600V SUPER JUNCITO...
1
1,983
加入询价
PJMF280N65E1_T0_00001
PANJIT
650V SUPER JUNCITO...
1
2,000
加入询价
PJMF280N60E1_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 1,983
询价
PJMF280N65E1_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
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