- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (32)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (4)
- PANJIT (2)
- UMW (6)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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UMW | 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
UMW | 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
UMW | SOP-8 MOSFETS ROH... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
UMW | 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 3... |
1 | 2,609 | 加入询价 | ||
UMW | 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A ... |
1 | 2,990 | 加入询价 | ||
UMW | 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V... |
1 | 454 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 428 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 862 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |