- 品牌：
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- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (35)
- STMicroelectronics (80)
- Littelfuse (9)
- Microsemi (6)
- PANJIT (4)
- ROHM Semiconductor (12)
- Taiwan Semiconductor (15)
- Vishay / Siliconix (52)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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346 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 39 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 345 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 834 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 580 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 48 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A... |
1 | 112 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 368 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 94 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 98 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A... |
1 | 38 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 17 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
