双极射频晶体管 - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

电压 - 集射极击穿（最大值）：

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

功率 - 最大值：

晶体管类型：

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

频率 - 跃迁：

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	HN3C10FUTE85LF	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	RF TRANS 2 NPN 12V ...	1	101	加入询价
	MRF553GT	Microsemi	RF TRNS NPN 16V 175M...	1	2,000	加入询价
	MRF553T	Microsemi	RF TRNS NPN 16V 175M...	1	2,000	加入询价

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