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分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
工作温度:
200°C
(1)
200°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
55LT
(1)
M113
(1)
M123
(1)
供应商器件封装:
55LT
(1)
M113
(1)
M123
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
16V
(1)
18V
(1)
50V
(1)
功率 - 最大值:
175W
(1)
20W
(1)
25W
(1)
增益:
10dB
(2)
7dB ~ 8dB
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
-
(1)
10 @ 200mA,5V
(1)
5 @ 250mA,5V
(1)
频率 - 跃迁:
175MHz
(1)
450MHz ~ 512MHz
(1)
960MHz ~ 1.215GHz
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
安装类型 : 底座安装
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 2A
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
MS652S
Microsemi
RF TRANS NPN 16V 51...
1
2,000
加入询价
TAN15
Microsemi
RF TRANS NPN 50V 1....
1
2,000
加入询价
SD1143-01
Microsemi
RF TRANS NPN 18V 17...
1
2,000
加入询价
MS652S
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
TAN15
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
SD1143-01
Microsemi
-
库存 : 2,000
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