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晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
封装/外壳:
M113
(2)
M164
(1)
M174
(2)
M177
(1)
供应商器件封装:
M113
(2)
M164
(1)
M174
(2)
M177
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
18V
(2)
35V
(1)
36V
(1)
55V
(2)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
10A
(1)
16A
(1)
20A
(1)
4.5A
(2)
40A
(1)
功率 - 最大值:
233W
(1)
270W
(1)
320W
(1)
330W
(1)
80W
(2)
增益:
12dB
(1)
13dB
(1)
14.5dB
(1)
14dB
(1)
15dB
(1)
18dB
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 500mA,5V
(1)
15 @ 1.4A,6V
(1)
15 @ 10A,6V
(1)
15 @ 7A,5V
(1)
20 @ 5A,5V
(1)
200 @ 1A,5V
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
安装类型 : 底座安装
频率 - 跃迁 : 30MHz
6 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
MS1001
Microsemi
RF TRANS NPN 18V 30...
1
2,000
加入询价
MS1004
Microsemi
RF TRANS NPN 55V 30...
1
2,000
加入询价
MS1008
Microsemi
RF TRANS NPN 55V 30...
1
2,000
加入询价
MS1076
Microsemi
RF TRANS NPN 35V 30...
1
2,000
加入询价
MS1226
Microsemi
RF TRANS NPN 36V 30...
1
2,000
加入询价
MS1227
Microsemi
RF TRANS NPN 18V 30...
1
2,000
加入询价
MS1001
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
MS1004
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
MS1008
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
MS1076
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
MS1226
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
MS1227
Microsemi
-
库存 : 2,000
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