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分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
工作温度:
150°C(TJ)
(1)
200°C(TJ)
(3)
封装/外壳:
55AW
(2)
55CX
(1)
55HX
(1)
供应商器件封装:
55AW
(2)
55CX
(1)
55HX
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
110V
(1)
55V
(2)
60V
(1)
功率 - 最大值:
320W
(1)
375W
(1)
575W
(1)
875W
(1)
增益:
12dB ~ 14.5dB
(1)
6.2db ~ 7dB
(1)
6.5dB
(1)
7.27dB
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
(2)
10 @ 2.5A,5V
(1)
10 @ 300mA,5V
(1)
频率 - 跃迁:
1.025GHz ~ 1.15GHz
(1)
1.03GHz ~ 1.09GHz
(1)
1.5MHz ~ 30MHz
(1)
960MHz ~ 1.215GHz
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
Microsemi
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 30A
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
S200-50
Microsemi
RF TRANS NPN 110V 3...
1
2,000
加入询价
TAN250A
Microsemi
RF TRANS NPN 60V 1....
1
2,000
加入询价
TPR400
Microsemi
RF TRANS NPN 55V 1....
1
2,000
加入询价
DME375A
Microsemi
RF TRANS NPN 55V 1....
1
2,000
加入询价
S200-50
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
TAN250A
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
TPR400
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
DME375A
Microsemi
-
库存 : 2,000
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