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分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
工作温度:
150°C(TJ)
(1)
200°C(TJ)
(1)
封装/外壳:
55JU
(1)
M174
(1)
供应商器件封装:
55JU
(1)
M174
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
18V
(1)
31V
(1)
增益:
13dB
(1)
7.2dB ~ 8.5dB
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
(1)
20 @ 5A,5V
(1)
频率 - 跃迁:
225MHz ~ 400MHz
(1)
30MHz
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) : 20A
功率 - 最大值 : 270W
安装类型 : 底座安装
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
MS1001
Microsemi
RF TRANS NPN 18V 30...
1
2,000
加入询价
UMIL100A
Microsemi
RF TRANS NPN 31V 40...
1
2,000
加入询价
MS1001
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
UMIL100A
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
品牌:
封装:
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