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晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
封装/外壳:
55EU
(1)
55HX
(1)
55JU
(1)
供应商器件封装:
55EU
(1)
55HX
(1)
55JU
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
110V
(1)
21V
(1)
31V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
20A
(1)
300mA
(1)
30A
(1)
功率 - 最大值:
270W
(1)
320W
(1)
5.3W
(1)
增益:
12dB ~ 14.5dB
(1)
7.2dB ~ 8.5dB
(1)
7dB ~ 9dB
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
(2)
20 @ 100mA,5V
(1)
频率 - 跃迁:
1.5MHz ~ 30MHz
(1)
225MHz ~ 400MHz
(1)
2GHz
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
工作温度 : 150°C(TJ)
安装类型 : 底座安装
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
S200-50
Microsemi
RF TRANS NPN 110V 3...
1
2,000
加入询价
UMIL100A
Microsemi
RF TRANS NPN 31V 40...
1
2,000
加入询价
2A8
Microsemi
RF TRANS NPN 21V 2G...
1
2,000
加入询价
S200-50
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
UMIL100A
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
2A8
Microsemi
-
库存 : 2,000
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