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晶体管
双极(BJT)
双极射频晶体管
封装/外壳:
55BT
(2)
55RT
(1)
供应商器件封装:
55BT
(2)
55RT
(1)
电压 - 集射极击穿(最大值):
22V
(2)
60V
(1)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
15A
(1)
400mA
(2)
功率 - 最大值:
290W
(1)
3W
(1)
5W
(1)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 100mA,5V
(2)
20 @ 1A,5V
(1)
频率 - 跃迁:
3.7GHz
(1)
4.3GHz
(1)
470MHz ~ 860MHz
(1)
已选条件:
双极射频晶体管
工作温度 : 200°C(TJ)
安装类型 : 底座安装
增益 : 8.5dB ~ 9.5dB
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
23A005
Microsemi
RF TRANS NPN 22V 4....
1
2,000
加入询价
23A008
Microsemi
RF TRANS NPN 22V 3....
1
2,000
加入询价
UTV8100B
Microsemi
RF TRANS NPN 60V 86...
1
2,000
加入询价
23A005
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
23A008
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
UTV8100B
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
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封装:
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