- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
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- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | NPN X 2 BRT Q1BSR=2... |
1 | 3,890 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | NPN X 2 BRT Q1BSR=4... |
1 | 3,773 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | NPN X 2 BRT Q1BSR=1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRANS PREBIAS 1NP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRANS NPN PREBIA... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
