电压 - 集射极击穿(最大值):
晶体管类型:
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
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BC850BLT1G ON Semiconductor
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NSVBC848CLT1G ON Semiconductor
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BC850CLT1G ON Semiconductor
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BC847BTT1G ON Semiconductor
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BC846CLT1G ON Semiconductor
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BC848CLT3G ON Semiconductor
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NSVBC850BLT1G ON Semiconductor
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NSVBC850CLT1G ON Semiconductor
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NST857BMX2T5G ON Semiconductor
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NST846BMX2T5G ON Semiconductor
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NST857AMX2T5G ON Semiconductor
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NST847AMX2T5G ON Semiconductor
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BC847BTT1 ON Semiconductor
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BC850CLT1 ON Semiconductor
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BC847CTT1 ON Semiconductor
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