供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
电阻器 - 发射极 (R2):
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
频率 - 跃迁:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FJN3310RTA ON Semiconductor
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FJN3306RBU ON Semiconductor
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