- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 340 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 266 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 768 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 978 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 42 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIC 1.2KV 33.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
