- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- Littelfuse (1)
- PANJIT (2)
- UnitedSiC (1)
- 供应商器件封装：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 28,221 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,995 | 加入询价 | |
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PANJIT | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 211 | 加入询价 | |
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Littelfuse | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIC 650V 24.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIC 650V 25.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIC 1.2KV 24.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
