- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 800V 400A D... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP REV 800V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.2KV 400A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP REV 1.2KV... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.6KV 400A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE GP REV 1.6KV... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | DIODE GEN PURP 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
