- 品牌：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 881 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | 650 V POWER SIC GEN... |
1 | 996 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARBID... |
1 | 984 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | 650 V POWER SIC GEN... |
1 | 798 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 750 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
