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Infineon Technologies
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封装/外壳:
TO-220-2
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TO-220-2 全封装,隔离接片
(1)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
(1)
模具
(1)
供应商器件封装:
ITO-220AC
(1)
TO-220AC
(1)
TO-263
(1)
模具
(1)
反向恢复时间 (trr):
355 ns
(1)
45 ns
(3)
电流 - 平均整流 (Io):
150A
(1)
8A
(3)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):
2.7 V @ 150 A
(1)
3.2 V @ 8 A
(3)
工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
(1)
-55°C ~ 175°C
(3)
已选条件:
单二极管
不同 Vr、F 时电容 : -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 : 3 µA @ 1200 V
速度 : 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
QRT812_T0_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 1.2...
1
2,000
加入询价
QRT812F_T0_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 1.2...
1
2,000
加入询价
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2...
1
2,000
加入询价
QRT812D_R2_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 1.2...
1
2,000
加入询价
QRT812_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
QRT812F_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
-
库存 : 2,000
询价
QRT812D_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
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