- 品牌：
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- UnitedSiC (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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24 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 7,471 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 18,485 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,899 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 1,986 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,231 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 161 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SILICON CA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | WNSC2D021200D/TO252/R... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
