- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (5)
- Bruckewell (1)
- PANJIT (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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57 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | DIODE GEN PURP 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE GEN PURP 430... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Global Power Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Bruckewell | SIC SCHOTTKY DIO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 300... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 400... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
