- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 340 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 3,261 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 725 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 7,174 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 1,759 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 1,500 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
