- 不同 Vr、F 时电容：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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- 已选条件：
22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,425 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 847 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 980 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 885 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DISCRETE DIODES |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC_DISCRETE PG-T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
