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二极管
整流器
单二极管
速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
(3)
无恢复时间 > 500mA(Io)
(1)
技术:
SiC(Silicon Carbide)Schottky
(1)
标准
(3)
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):
1200 V
(1)
600 V
(2)
650 V
(1)
反向恢复时间 (trr):
0 ns
(1)
28 ns
(1)
45 ns
(1)
70 ns
(1)
不同 Vr、F 时电容:
-
(3)
296pF @ 1V,1MHz
(1)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):
1.65 V @ 8 A
(1)
1.7 V @ 8 A
(1)
2.4 V @ 8 A
(1)
3.2 V @ 8 A
(1)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
1 µA @ 600 V
(1)
3 µA @ 1200 V
(1)
3 µA @ 600 V
(1)
60 µA @ 650 V
(1)
已选条件:
单二极管
供应商器件封装 : TO-263
工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C
电流 - 平均整流 (Io) : 8A
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PCDB0865G1_R2_00001
PANJIT
DIODE SIL CARBID...
1
2,000
加入询价
QRT8A06D_R2_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 600...
1
2,000
加入询价
QRT812D_R2_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 1.2...
1
2,000
加入询价
QR806D_R2_00001
PANJIT
DIODE GEN PURP 600...
1
2,000
加入询价
PCDB0865G1_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
QRT8A06D_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
QRT812D_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
QR806D_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
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型号:
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