- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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- 工作温度 - 结：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 6,330 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 1,107 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARBID... |
1 | 5,094 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 266 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,965 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 793 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 978 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,255 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,427 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,330 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 890 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,559 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,408 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 42 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Microchip Technology | DIODE SIL CARBID... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
