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- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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- 不同 Vr、F 时电容：
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- 电流 - 平均整流 (Io)：
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- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：
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- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：
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557 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 4,216 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 5,965 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 7,471 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 4,624 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARBID... |
1 | 6,003 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 6,330 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 1.7... |
1 | 1,107 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC 3.3KV 300M... |
1 | 3,428 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 3.3... |
1 | 824 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARBID... |
1 | 5,224 | 加入询价 | |
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WeEn Semiconductors Co., Ltd | DIODE SIL CARBID... |
1 | 10,510 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 6,260 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARBID... |
1 | 3,712 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DIODE SIL CARBID... |
1 | 5,094 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 1,425 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARBID... |
1 | 1,027 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 10,640 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | DIODE SIL CARB 600... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | DIODE SIL CARB 650... |
1 | 2,313 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | DIODE SIL CARB 1.2... |
1 | 238 | 加入询价 |
