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单齐纳二极管
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Nexperia
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ROHM Semiconductor
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division
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容差:
-
(13)
±2.5%
(2)
±3%
(4)
工作温度:
-
(3)
-55°C ~ 150°C
(4)
-65°C ~ 175°C
(10)
150°C(TJ)
(2)
封装/外壳:
2-SMD,扁平引线
(3)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
(11)
SC-90,SOD-323F
(2)
SOD-123F
(1)
SOD-80 变式
(2)
供应商器件封装:
LLDS
(3)
SOD-123F
(1)
SOD-80 MiniMELF
(8)
SOD-80 QuadroMELF
(2)
TUMD2
(2)
TUMD2M
(1)
UMD2
(2)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):
-
(8)
1.5 V @ 200 mA
(10)
900 mV @ 10 mA
(1)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
-
(4)
1 µA @ 2 V
(6)
5 µA @ 2.5 V
(9)
已选条件:
单齐纳二极管
阻抗(最大值)(Zzt) : 13 Ohms
功率 - 最大值 : 500 mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) : 5.6 V
19 条记录
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描述
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NZH5V6B,115
Nexperia
DIODE ZENER 5.6V 50...
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division
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TFZVTR5.6B
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1,748
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UFZVTE-175.6B
ROHM Semiconductor
500MW 5.6V, SOD-323FL,...
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